北京
国家知识产权局信息显示，一塔半导体（安徽）有限公司取得一项名为“化学气相沉积设备”的专利，授权公告号CN224077528U，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种化学气相沉积设备，包括：设备主体，设备主体内形成有反应腔，反应腔的内壁上还形成有沿第一方向贯通反应腔的测温口，测温口内设有透光件，且透光件封堵测温口，待加工件适于运动至在第一方向上与测温口相对的位置；测温装置，测温装置设于设备主体外侧，测温装置包括红外测温仪、准直透镜和凹透镜，红外测温仪、准直透镜和凹透镜均与测温口在第一方向上相对设置，且准直透镜设于红外测温仪和凹透镜之间，凹透镜设于准直透镜朝向测温口的一侧。根据本实用新型的化学气相沉积设备，可以在化学气相沉积的过程中，对待加工件的温度进行非接触测量，并且测温的采集面积较大，可以提高测温精度。
天眼查资料显示，一塔半导体（安徽）有限公司，成立于2024年，位于合肥市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本613.33万人民币。通过天眼查大数据分析，一塔半导体（安徽）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息29条，专利信息26条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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