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国家知识产权局信息显示，北京镓创华芯科技有限公司申请一项名为“一种用于p型β-Ga2O3薄膜的退火工艺”的专利，公开号CN121781287A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体材料制备技术领域，尤其是涉及一种p型β‑Ga2O3薄膜的退火工艺。该工艺包括：提供衬底；在所述衬底上形成p型β‑Ga2O3薄膜；将所述p型β‑Ga2O3薄膜在含氧气氛中进行退火处理，所述退火处理的温度为500℃～900℃，时间为10min～120min。本申请提供的退火工艺，能够有效提高p型β‑Ga2O3薄膜的结晶质量，降低薄膜中的缺陷密度，改善薄膜的电学性能。
天眼查资料显示，北京镓创华芯科技有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，北京镓创华芯科技有限公司。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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