北京
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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有含金属鳍状物隔离区域的集成电路结构”的专利，公开号CN121772334A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，描述了具有含金属鳍状物隔离区域的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括位于第一子鳍状物之上的水平纳米线的竖直堆叠体。栅极结构位于水平纳米线的竖直堆叠体之上以及位于第一子鳍状物上。电介质结构与栅极结构横向间隔开。电介质结构不位于沟道结构之上，而是位于第二子鳍状物上。栅极切割部位于栅极结构与电介质结构之间。电介质栅极切割部插塞位于栅极切割部中。电介质栅极插塞包括含金属电介质材料。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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