北京
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“半导体管芯及其制造方法”的专利，公开号CN121772726A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体管芯及其制造方法。本公开涉及半导体管芯（100），半导体管芯（100）包括：半导体主体（10）、绝缘层（20）和金属化（30），其中导体线（31）形成在金属化（30）中并且布置在半导体管芯（100）的有源区域（101）之外，其中第一接触开口（21）形成在导体线（31）下方的绝缘层（20）中，导体线（31）在第一接触开口（21）中的第一接触区域（41）中电连接到半导体主体（10），其中第一接触开口（21）沿着导体线（31）的长度延伸（110）被划分成多个第一接触开口区段（21.1‑21.3），第一接触区域（41）在相邻的第一接触开口区段（21.1‑21.3）之间被提供有相应的第一中断（51，51.1，51.2）。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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