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Mar. 31, 2026
产业洞察
预估2Q26一般型DRAM合约价格季增58-63%,NAND Flash合约价格季增70-75%;
DRAM原厂积极将产能转向Server(服务器)相关应用,尽管部分终端需求面临下修风险,整体供给持续紧缩、价格仍维持上行趋势;
NAND Flash产能向Enterprise SSD(企业级SSD)倾斜,消费应用因价格压力缩减规格;
根据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查,2026年第二季因DRAM原厂积极将产能转向HBM、Server应用,并采用“补涨”策略拉近各类产品价差,尽管终端市场面临出货下修风险,预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价格仍将季增58-63%。NAND Flash市场持续由AI、数据中心需求主导,全产品线连锁涨价的效应不减,预计第二季整体合约价格将季增70-75%。
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分析各类DRAM产品价格变化,PC DRAM部分,尽管整机需求出现下修,但原厂同步缩减对PC OEM、模组厂的供货,导致原厂满足率较低的PC OEM需加价向原厂或模组厂采购,对价格形成支撑。
北美云端服务供应商(CSP)对AI推理的应用情境逐渐明确,带动AI Server、通用型Server需求上升,大容量RDIMM成为主要采购目标。供给方面,原厂考量Server DRAM的获利居各类产品之首,优先分配位元产出至此。目前原厂也正与主要客户洽谈长期协议(LTA),作为未来扩产依据,然而短期供给仍维持紧缩。
智能手机方面,品牌因存储器成本压力持续累积,不排除自2026年第二季起调整生产计划,但预估上半年对Mobile DRAM的拉货力道暂不致出现大幅收缩。整体而言,随着原厂与指标客户谈定第二季价格、立下涨幅基准,加上原厂欲借由补涨缩小各应用间价差,Mobile DRAM合约价将较前一季持续走升。
Graphics DRAM部分,存储器价格上涨造成笔电、游戏机需求动能减弱,且可分配至GDDR的产能依然不足,第二季报价持续上修。Consumer DRAM的客户多专注于薄利多销的低单价产品,2025年初至今的涨价潮已造成部分产品的存储器成本高于售价,故采购需求略有见缓,但大厂逐步退出Consumer DRAM供给仍为产业失衡主因,供不应求情况未见缓解。
AI算力军备竞赛白热化,产能排挤效应驱动NAND Flash价格续强
2026年第二季NAND Flash原厂虽通过制程升级、调升QLC比例提高位元产出,但增加幅度有限。来自AI Server的需求保持强劲,PC、智能手机厂商则被迫缩减产品容量,以抑制NAND Flash需求量。
即便PC需求不见好转,但买方预期Client SSD价格将持续上行,且担心产能遭Server完全排挤,出现库存回补需求。然而供应商为追求营业利益最大化,持续缩减对Client SSD的供给,第二季价格涨势不减。
随着生成式AI进入大规模应用阶段,高效能SSD需求显著增长,Enterprise SSD订单成长未见放缓。供给方面,2026年将明显缺货,新产能预计要到2027年底或2028年才能大规模开出。CSP为确保供货稳定,愿意接受涨价并签订LTA,更增添原厂上调价格动力。
eMMC/UFS部分,即使智能手机市场低迷,旗舰机AI功能对高速传输的需求维持刚性,车用、工控需求也小幅回温。从供给面来看,eMMC/UFS与Enterprise SSD在部分制程上高度重叠,但单位利润远低于后者,导致供给缺口成全产品线之冠,预计第二季价格也将大幅提升。
由于零售市场与闪存卡、U盘需求在涨价压力下持续萎缩,模组厂端亦面临成本与销售双重困境,NAND Flash wafer需求收敛。在库存调节与利润的考量下,wafer成为原厂出货优先级最低的产品,因市场流通量极度稀缺,第二季价格维持上涨。
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