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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“使用终点子鳍蚀刻的自对准背侧过孔”的专利，公开号CN121772337A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本文公开了具有自对准背侧触点的半导体装置和系统及其形成方法。在一个示例中，半导体装置包括沟道、源极和漏极、源极和漏极触点以及栅极。沟道包括竖直且基本平行布置的多个沟道结构。源极和漏极位于沟道的相对端。源极触点和漏极触点分别耦合到源极和漏极。此外，源极触点或漏极触点中的一者在源极或漏极上方，并且源极触点或漏极触点中的另一者在源极或漏极下方。栅极在沟道结构周围，其中，在截面视图中，栅极的在沟道结构下方的部分比栅极的在沟道结构之间的相应部分厚。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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