北京
国家知识产权局信息显示，厦门天三半导体有限公司取得一项名为“一种碳化硅生长炉的多通道冷却装置”的专利，授权公告号CN224062953U，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种碳化硅生长炉的多通道冷却装置，属于多通道冷却装置领域，其包括机架，其上可拆卸的安装有一泵体，在该泵体上可拆卸的安装有一循环管，在该机架上依次的连接有一制冷器、保安过滤器、第一降温筒及第二降温筒。本实用新型的碳化硅生长炉的多通道冷却装置，通过开启泵体，能够将水循环框体及多组通道管内的冷却液进行循环，在冷却液经过制冷器内时能够进行第一次降温，在当冷却液进入至保安过滤器内时能够进行过滤作业，在当冷却液进入至第一降温筒及第二降温筒内时能够进行二次的降温作业，在将水循环框体从生长炉上罩住，即可完成对生长炉的快速冷却作业。
天眼查资料显示，厦门天三半导体有限公司，成立于2020年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门天三半导体有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可2个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
