中微公司发布四款半导体制造设备，覆盖硅基及化合物领域

IT之家 3 月 30 日消息，中微公司 AMEC 在上周的 SEMICON China 2026 展会上宣布推出四款覆盖硅基及化合物半导体关键工艺的制造设备。这些新产品进一步丰富了中微公司在多个领域的产品组合及系统化解决方案能力。

Primo Angnova

Primo Angnova 是中微公司的新一代电感耦合 ICP 等离子体刻蚀设备，面向先进节点对高深宽比刻蚀工艺的需求。

该产品采用中心抽气设计，配备业界领先的对称气流控制阀、高流导和高速分子泵系统，可实现极高的反应气体通量，大幅度扩展反应腔体压力控制范围。在功率源和等离子体方面，Primo Angnova 集成了具有中微公司自主知识产权的第二代 LCC 射频线圈和直流磁场辅助线圈 MFTR，并配备先进的四段脉冲控制，可实现对离子浓度和离子能量的高精度独立控制。尤其突出的是，其搭载的超低频射频等离子体源，能够产生极高的离子能量，显著增强了设备在高深宽比 ICP 刻蚀工艺中的处理能力。

在温度控制方面，Primo Angnova 采用超过 200 区独立温控的 Durga III ESC 静电吸盘，分区控温精度显著提升，结合晶圆边缘连续 AEIT（晶圆边缘阻抗主动调节）设计，实现了优异的片内刻蚀均匀性。在系统集成与效率方面，Primo Angnova 搭载了中微公司成熟的 Primo C6V3 传送平台，最多可配置 6 个主刻蚀腔体与 2 个 LL Strip 除胶腔体，有效降低综合运行成本。

Primo Domingo

Primo Domingo 则是一款高选择性刻蚀机，针对 GAA、3D NAND、3D DRAM 等器件工艺需求。

该产品采用全对称腔体结构与优化流场设计，在气体注入、温度控制、压力调控等关键环节实现系统整合，确保晶圆表面刻蚀的高度均匀性与工艺重复性。Primo Domingo 独特的集成气柜设计，可缩短气体注入距离，实现更快脉冲气体精密控制，为刻蚀工艺提供精准保障。设备内部采用了高抗腐蚀管路与特殊涂层材料以应对工艺所需的高活性刻蚀气体，保障设备长期可靠运行。此外，Primo Domingo 配备了双制冷 / 双加热晶圆基座，支持宽范围精准温控，显著提升了刻蚀工艺的均匀性与稳定性。Primo Domingo 同样搭载中微公司量产的 Primo C6V3 传输系统，可灵活搭配主刻蚀腔和辅助退火腔，满足不同刻蚀应用的需求。

Smart RF Match

这款智能射频匹配器用于在设备腔体内实现稳定的等离子体生成与控制，专为半导体前道制程，特别是介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀，以及先进封装、MEMS、化合物半导体等精密刻蚀的应用而设计。

它首次在半导体设备领域引进了射频回路专网概念，通过 EtherCAT 实现射频电源与智能匹配器之间射频状态信息的实时准确传输，使智能匹配器能够作为主动设备，在调节匹配网络的同时向射频电源下发控制指令。

基于具有自主知识产权的新型智能射频匹配控制算法，Smart RF Match 可实现微秒级的射频环境响应，能够根据等离子体状态实时自动调节阻抗，确保射频能量高效、稳定地传输。独特的智能调控算法根据工艺条件对电源频率调节范围以及匹配调节模式等进行自动选择及切换，实现比传统匹配器快百倍以上的匹配速度。

在客户端高端逻辑工艺的实际测试中，在相同工艺条件下，与传统的固定式匹配方案相比，智能射频匹配系统不仅将射频信号匹配速度提升了 225%，还助力整体刻蚀效率提高 15%。这一性能提升，直接转化为更高的设备单位产能与更稳定的工艺一致性。

Preciomo Udx

Preciomo Udx 则面向 Micro LED 量产中的 MOCVD 工序（IT之家注：金属有机化合物化学气相沉积）。

其采用新型水平式双旋转反应室结构，并通过对温场与流场的仿真设计及硬件与工艺优化，显著提升了波长均匀性，为客户实现 Micro LED 量产提供了关键支撑。

Preciomo Udx 最多可配置两个反应腔，可同时加工 18 片 6 英寸或者 12 片 8 英寸的高性能氮化镓蓝绿光 Micro LED 外延片。每个反应腔均可独立控制，具有高度生产灵活性。该设备配备符合集成电路行业标准的 EFEM 和 SMIF 系统，可实现片盒到片盒的全自动化传输模式，有效降低 Micro LED 外延片的颗粒数。