北京
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国家知识产权局信息显示，大庆溢泰半导体材料有限公司申请一项名为“一种激光用低位错密度的晶体生长方法”的专利，公开号CN121737852A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种激光用低位错密度的晶体生长方法，涉及激光晶体制备技术领域，将铟和磷加热保温后，加入功能助剂，继续升温并保温，冷却，转移至直拉炉内加热保温后，降温引晶，同时提拉生长，最后进行退火得到。本发明使用的功能助剂通过促进熔体成分均匀混合、抑制磷元素挥发、掺杂产生的钉扎效应，结合慢速提拉、精确控温和退火处理过程，协同降低磷化铟晶体生长的位错密度，提高磷化铟晶体的质量。
天眼查资料显示，大庆溢泰半导体材料有限公司，成立于2018年，位于大庆市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8050万人民币。通过天眼查大数据分析，大庆溢泰半导体材料有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目35次，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可41个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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