恭喜！复旦大学！“长缨”芯片问世！

复旦大学集成电路与微纳电子创新学院副院长周鹏

来源：中国青年报客户端

“如果这款芯片将来能够量产的话，也许手机上就可以跑大模型了。”复旦大学集成电路与微纳电子创新学院副院长周鹏所说的芯片全称是“全功能二维半导体/硅基混合架构异质集成闪存芯片”。

在今天举行的中关村论坛年会开幕式上，这款芯片入选国家自然科学基金委员会发布的2025年度“中国科学十大进展”。

3月25日，2026中关村论坛年会开幕。中青报·中青网记者 尹希宁/摄

周鹏在会前向记者介绍，他的团队为上述闪存芯片取了个名字叫“长缨”，“长缨”是可以支持8位指令与32位并行处理的高复杂度、指令驱动的全功能芯片，集成良率高达94.3%，为原子级芯片集成提供了新范式。

更重要的是，“长缨”不仅有中国名字，而且拥有中国完整自主知识产权，是由内而外的“中国芯”。

在主流的闪存市场上，消费者大多是购买U盘、固态硬盘、SD卡等来存储数据。随着人工智能、大数据技术的发展，研究人员甚至是普通消费者对存储器提出了更高的要求。

如果将存储器分为易失性存储器和非易失性存储器，那么前者读写速度快而数据容易丢失，例如RAM（内存）；后者即使断了电也能保存数据，但读写速度相对慢，例如Flash（闪存）。

“我们的技术就是把易失和非易失的界限打破了。”周鹏说，“长缨”的成功研发意味着未来的存储器既能保证读写速度快又能保证数据不易丢失。

2025年4月，周鹏-刘春森团队在《自然》（Nature）期刊提出了“破晓”二维闪存原型器件，实现了400皮秒超高速非易失存储，是迄今最快的半导体电荷存储技术，为打破算力发展困境提供了底层原理。

上得了书架的科技成果，能不能上货架？周鹏将存储器产业形容成一座金字塔，越往塔尖成本越高。周鹏说：“我们是瞄着通用存储器去做的，又快又便宜”。

目前，市面上主流的集成电路制造工艺是CMOS（互补金属氧化半导体）技术。而周鹏与团队将二维闪存原型器件融入传统的半导体产线。

经过研发，“长缨”顺利问世，性能“碾压”目前的Flash闪存技术。周鹏打了个比方，在人工智能的应用背景下，如果一个大模型原来需要搭载9张英伟达的芯片才能够运转，那么换成量产的“长缨”，1张足够。

眼下，完成“从0到1”创新的周鹏仍未止步，他和团队的目标是“从1到10、100”。周鹏希望，“长缨”能够尽快走向市场，推动行业和产业向新发展。

中青报·中青网记者 尹希宁

从 0 到 1 到量产！复旦 “长缨” 闪存：手机跑大模型，中国芯率先破局

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