北京
国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“套刻标记掩膜版图形及套刻误差量测方法”的专利，公开号CN121721898A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种套刻标记掩膜版图形及套刻误差量测方法，通过在前层图形中引入前层辅助图形来增加前层图形的密度，有效改善CMP过程中可能产生的损伤，降低甚至避免由此导致的CMP残留，从而提高套刻误差量测的准确性和稳定性。此外，由于前层辅助子图形的延伸方向与前层对准子图形及当前对准子图形的延伸方向相互垂直，可以避免对既有光栅明暗条纹的干扰，确保通过扫描套刻标记图形光栅的明暗条纹获得图形位置信息的准确性。因此，该套刻标记掩膜版图形不仅提升了套刻标记的对比度和扫描信号的稳定性，还减少了因CMP残留导致的量测异常，最终实现了更高精度的层间对准，对于提升半导体制造工艺的整体性能和可靠性具有重要意义。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目933次，专利信息270条，此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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