存储芯片概念强势，超颖电子涨停，佰维存储股价再创新高

来源：中宏网官微

　　存储芯片概念25日盘中再度走强，截至发稿，佰维存储涨超12%，股价续创历史新高；圣邦股份、协创数据等涨超10%，超颖电子、三孚股份涨停，江波龙涨近8%，德明利涨约7%亦创出新高。

　　佰维存储24日晚间公告，公司与某存储原厂签订日常经营性采购合同，公司同意按合同约定的数量、价格及时间向该供应商采购某款存储晶圆，合同总承诺采购金额为15亿美元，承诺采购期总计24个月。

　　公告称，根据合同相关约定，公司每12个月内对该产品的采购量，占2025年公司NANDFlash采购总量的11.1%和2025年公司NANDFlash销售总量的18.01%，占比均较小。公司签订合同提前锁定未来24个月的部分基础用量，与公司业务规模及业务规划匹配，风险整体可控。

　　另据韩联社日前报道，三星电子工会成员以93.1%的赞成率通过了集体斗争行动议案，工会计划于4月23日举行集会，并在5月21日至6月7日举行为期18天的全国总罢工。

　　中信证券指出，若罢工如期举行，或将影响三星在韩国平泽半导体园区的芯片生产线，冲击该园区DRAM、NAND闪存及HBM芯片的产能释放。而产线一旦停产，想要复产需要重新检测和启动生产链的过程亦十分耗费时间和人力资源。2026年以来，在AI的强劲需求推动下，存储芯片仍是供需偏紧的格局，价格不断上涨。根据Omdia数据，2025年四季度三星电子在全球DRAM市场份额为36.6%，根据TrendForce数据，2025年四季度三星电子在全球NAND市场份额为28%，三星电子可能的停产风险或将进一步加剧全球存储芯片市场的供应紧张。

　　该机构认为，存储涨价和高景气度有望贯穿2026年全年，而三星电子可能的总罢工行动对国内存储大厂而言也是扩大市场、提升市占率的机会。近年来国内存储大厂的产能建设与技术突破进展快速。国产3DNAND产品在2025年已实现232层闪存的量产并继续往更高堆叠层数迭代。国产DRAM产品已实现主流第四代、第五代DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等的量产。国内存储大厂的产能扩张及技术迭代有望在“十五五”时期加速，全球市占率有望持续提升。在存储产品全球紧缺、产品价格和盈利能力不断上行、国内厂商全球市场份额仍然较低、国内产业政策大力支持的背景下，看好存储大厂扩产带来的需求增量，材料及零部件端核心供应商的成长性及向上空间具有较强的确定性。（吴永芳）

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