在AI大模型飞速演进的今天,数据中心和 AI 服务器的功耗正面临前所未有的挑战。如何在高电压、大功率的需求下,实现更小的体积与更高的转换效率?氮化镓(GaN)作为下一代半导体材料,正凭借其出色的开关性能和高频特性,成为化解“能效焦虑”的关键。
1、ROHM×TSMC开启“一体化”新纪元
面对全球AI服务器和电动汽车领域对GaN产品日益增长的需求,全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)宣布将自身拥有的 GaN 开发制造技术与合作伙伴台积公司(TSMC)的工艺技术融合,在集团内部建立一体化生产体系!
通过获得台积电的GaN技术授权,罗姆不仅增强了供应能力,更计划在2027年内于罗姆滨松工厂建立起完善的生产体系。这意味着,从底层工艺到最终成品,罗姆将拥有更极致的品质把控与产能保障,为您的供应链安全保驾护航。
2、为什么选择 EcoGaN™
罗姆推出的 EcoGaN™ 品牌,旨在通过最大限度发挥 GaN 的性能,助力应用产品进一步节能和小型化。
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相比传统Si器件,EcoGaN™展现出了压倒性的优势:
◆ 更低损耗:导通电阻显著低于传统 Si(硅)器件,有效降低功耗。
◆ 更高频率:优异的高电压和高频特性,有助于缩减外围元器件体积,实现系统小型化
◆ 简化设计:该系列产品有助于减少设计工时和元器件数量,提升开发效率。
・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
3、明星产品推荐:650V GaN HEMT
针对高要求电源系统,我们重点推荐ROHM的标杆级产品:GNP2070TD
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关键特性:
作为650V耐压的GaN器件,实现了业内出色的FOM(Figure of Merit)
核心优势:
大大降低开关损耗,在提高电源效率的同时,助力各种电源系统进一步提高效率
4、应用全覆盖:从口袋到工业端
罗姆的氮化镓功率解决方案正在推动多样化应用的变革:
◆ AC适配器:缩小器件尺寸,缩短充电时间
◆ 车载充电器(OBC):更高效的功率转换,缩短充电时间
◆ 数据中心:减少二氧化碳排放,降低功耗
◆ 工业机器人:更高的功率密度,更低的系统成本
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