北京
国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“一种SOI晶圆的钝化层刻蚀方法”的专利，公开号CN121728986A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种SOI晶圆的钝化层刻蚀方法，SOI晶圆包括依次层叠的金属层、第一钝化层、第二钝化层、光刻胶层；SOI晶圆的钝化层刻蚀方法包括：刻蚀光刻胶层，形成图形化光刻胶；将图形化光刻胶作为掩膜，采用第一刻蚀气体对第二钝化层进行第一刻蚀工艺；采用第二刻蚀气体对第一钝化层进行第二刻蚀工艺；第一刻蚀工艺的刻蚀功率为1000W～1500W；第二刻蚀工艺的刻蚀功率为1000W～1500W。本发明提供的SOI晶圆的钝化层刻蚀方法可以降低晶圆电弧放电的几率，提高产品的良率，改善刻蚀面的形貌，提高产能，同时也避免前期投入时间浪费，进而降低生产成本。
天眼查资料显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯卓湖光半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，专利信息72条，此外企业还拥有行政许可20个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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