北京
国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种先进图形化薄膜的气相沉积方法及设备”的专利，公开号CN121700353A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种先进图形化薄膜的气相沉积方法及设备，方法包括如下步骤：提供衬底并安置在基座上，基座环绕设置有遮蔽环，遮蔽环具有延伸至衬底的第一表面上方的遮挡部；向衬底的第一表面引入第一气体，并向位于遮挡部下方的衬底引入第二气体，通过气相沉积工艺在衬底的第一表面形成先进图形化薄膜；其中，第一气体为形成先进图形化薄膜的工艺气体，第二气体为氧气和惰性气体的混合气体；第一气体和第二气体在遮挡部下方的流向相对、第一气体的流量大于第二气体的流量。在本申请中，通过边缘区域的在线清除和正面主气流屏障保护，既实现了边缘区域的APF去除，有保证了其余区域APF的正常沉积。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目933次，专利信息264条，此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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