北京
国家知识产权局信息显示，南京国科半导体有限公司申请一项名为“InAs/InAsSb超晶格中波红外pBn探测器结构及其制备方法”的专利，公开号CN121692799A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及pBn探测器技术领域，具体涉及一种InAs/InAsSb超晶格中波红外pBn探测器结构及其制备方法，InAs/InAsSb超晶格中波红外pBn探测器结构包括GaSb衬底、GaSb缓冲层、p型InAs/InAsSb超晶格吸收层、n型InAs/InAsSb超晶格势垒层和n型InAs/InAsSb超晶格接触层，其中，p型InAs/InAsSb超晶格吸收层和n型InAs/InAsSb超晶格势垒层之间形成pBn结，n型InAs/InAsSb超晶格势垒层和n型InAs/InAsSb超晶格接触层之间形成n-n异质结。本发明通过优化pBn探测器结构，提高了探测器的性能。
天眼查资料显示，南京国科半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本424.846万人民币。通过天眼查大数据分析，南京国科半导体有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目8次，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可18个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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