北京
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“用于半导体器件的抵抗电磁干扰的3D屏蔽结构”的专利，公开号CN121693160A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本公开涉及用于半导体器件的抵抗电磁干扰的3D屏蔽结构。半导体器件包括集成电路封装，该集成电路封装具有用于连接到印刷电路的连接阵列。该集成电路封装包括抵抗来自诸如球的基本连接器的电磁干扰的屏蔽结构。该屏蔽结构是通过由在基本连接器之间对金属屏蔽壁进行3D打印的沉积来形成的。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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