北京
国家知识产权局信息显示，西安龙昱半导体有限公司申请一项名为“用于IGBT模块DBC陶瓷基板背面氧化层的等离子清洗装置及方法”的专利，公开号CN121620130A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于IGBT模块DBC陶瓷基板背面氧化层的等离子清洗装置及方法，高温测试结束后，将预设数量的IGBT模块倒置放于托盘中，使IGBT模块中DBC陶瓷基板背面的氧化层朝上，并通过盖板固定各IGBT模块；定位氧化层所在区域，并调整等离子清洗喷头与氧化层之间的距离；将壳体与底座压合，形成密闭的清洗环境并抽真空；利用供气系统通入由反应气体和惰性气体组成的混合气体，并使多组等离子清洗喷头按预设路径清洗氧化层所在区域；将清洗过程中产生的废气吹扫至废气回收系统；恢复真空腔体的大气压后，取出承载有IGBT模块的托盘。本发明在高温测试后对IGBT模块进行等离子清洗，有利于保障成品良率。
天眼查资料显示，西安龙昱半导体有限公司，成立于2024年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙昱半导体有限公司参与招投标项目1次，专利信息6条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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