北京
国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121619953A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体衬底，高K栅介质膜，栅极结构和阻挡膜。高K栅介质膜覆盖半导体衬底的第一表面的部分区域。栅极结构覆盖高K栅介质膜。阻挡膜形成在高K栅介质膜与栅极结构之间。栅极结构包括依次形成的功函数膜和金属栅极，且至少一个栅极结构的功函数膜仅形成在阻挡膜与对应的金属栅极之间。通过在高K栅介质膜与栅极结构之间设置阻挡膜，且至少一个栅极结构的功函数膜仅形成在阻挡膜与对应的金属栅极之间，能够有效减少后续工艺中高温退火和离子刻蚀对高K栅介质膜和栅极结构的损伤，同时降低因功函数膜厚度不均而导致的金属栅极填充的难度。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目223次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1829条，此外企业还拥有行政许可106个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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