近日,多位中国集成电路行业的领军人物,包括中芯国际发起人之一王阳元院士、长江存储董事长陈南翔、北方华创董事长赵晋荣、清华大学微电子所所长魏少军等——联合撰文《构建自主可控的集成电路产业体系》。
文章中提出:在“十五五”期间,应通过整合机制,举国之力集中力量解决极紫外光刻(EUV)等关键问题,建议创立“中国的ASML”。
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(图源“科技导报”)
从“各自为战”到“团队作战”
No.1
这份发表在《科技导报》上的文章,核心观点是当前中国集成电路产业已筑牢国家安全底线,并在成熟工艺领域(28nm及以上)占据全球约33%的产能,具备了参与国际竞争的基础。但面对美国在EDA软件、高端设备和材料上的“三张牌”,以及与国际巨头悬殊的投资力度(如文章对比,国家大基金三期合计约967亿美元,接近英特尔、三星、台积电三家一年资本支出的总和),单靠企业分散突围难以为继。
因此,文章明确提出“举国之力”不应该是口号,应建立在整合机制的基础上,目标直指锻造能与强手对垒的“头部企业”。
攻克核心瓶颈:将极紫外光刻(EUV)作为“十五五”必须解决的三大关键问题(另两项是EDA和硅片)之首。文章指出,EUV光刻机有10万个零部件,背后是5000家供应商的集成体系。中国在激光光源、光学系统等单项技术上已有突破,关键在于如何像ASML那样,通过统筹,将分散的成果高效集成为整机。
创立创新模式:建议的核心是创立“中国的ASML”。这并非简单复制一家公司,而是建立一种全新的“被集成者”机制,即由一家或几家核心企业牵头,统一调度资金和人才,跳出短期“名利”藩篱,实现产业链的垂直整合。
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(图源“科技导报”)
攀登产业顶峰的“施工图”
No.2
文章不仅指出了方向,还为未来五年的发展设定了具体、务实的量化目标:
产业位势:跻身全球集成电路产业强国前三名。
自给率提升:国民经济领域芯片自给率提高到80%,逐步减少中低端产品进口(复出口除外),夯实内循环市场。
技术台阶:夯实自主可控的28nm全产业链,稳定14nm生产,并初步完成全国产化的7nm生产线建设及试运行。
基础平台:建设最先进工艺能力的公共研发平台,为未来的新结构、新材料、新工艺提供验证环境。
原始创新:在基础研究领域寻求引领性突破。
这些目标显示出一种清晰的“攀登策略”:扎稳中端(成熟工艺)的脚跟,同时集中力量攻克高端(先进工艺)的瓶颈,并以基础研究布局未来。
编者观察
这篇联名建议的本质,是行业领军者基于现实差距和产业规律,提出的一份关于“如何集中力量办大事”的路径探讨。
它既不是盲目的乐观,也不是悲观的论调,而是一份冷静的战略建议书:通过顶层设计重塑整合机制,集中资源锻造关键环节的“破局者”,用五到十年时间,在攀登全球半导体产业顶峰的征程中,扎扎实实地向上走好每一步。
资料参考:
科技导报《构建自主可控的集成电路产业体系》http://www.kjdb.org/CN/10.3981/j.issn.1000-7857.2025.10.00017
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