存储芯片涨价潮起，科创芯片ETF易方达涨2.20%

截至3月5日10点13分，上证指数涨0.48%，深证成指涨1.57%，创业板指涨2.23%。MicroLED概念、光学光电子、MiniLED等板块涨幅居前。

ETF方面，科创芯片ETF易方达（589130）涨2.20%，成分股佰维存储（688525.SH）涨超10%，东芯股份（688110.SH）、晶合集成（688249.SH）、芯原股份（688521.SH）、成都华微（688709.SH）涨超5%，富创精密（688409.SH）、拓荆科技（688072.SH）、杰华特（688141.SH）、颀中科技（688352.SH）、中科飞测（688361.SH）等上涨。

消息面上，2026年存储行业迎来高景气周期，在 AI 算力需求爆发与国产替代双重驱动下，DRAM、NAND 闪存供需持续偏紧，价格大幅上行。截至2026年1月，两大存储芯片价格均创下2016年有统计以来新高：主流 DDR48Gb DRAM 合约价11.5美元，环比上涨24%、较2025年9月上涨83%；128Gb NAND 闪存合约价9.5美元，环比上涨65%、较2025年9月涨近1.5倍。受 AI 芯片与 HBM 内存需求带动，2026年亚洲半导体大厂资本开支有望突破1360亿美元，台积电、三星、SK 海力士位列前列，其中台积电加码先进制程，三星、海力士重点布局 HBM，直接拉动设备及先进封装产业链需求爆发。

中国银河认为，在外部环境背景下，供应链安全与自主可控依旧是长期趋势。设备与材料在国产替代顶层设计下逻辑最硬，数字芯片是算力自主的核心载体，先进封测受益于技术升级。

国金证券认为，半导体设备是半导体产业链的基石，存储扩产与自主可控共振，国产化空间广阔。存储芯片架构从2D向3D深层次变革，随着3D DRAM技术引入以及NAND堆叠层数向5xx层及以上演进，制造工艺中对高深宽比刻蚀及先进薄膜沉积的要求呈指数级提升，相关设备厂商将深度受益于工艺复杂度提升带来的红利。

科创芯片ETF易方达（589130）一键布局科创板芯片产业龙头，成长性优势凸显。