北京
国家知识产权局信息显示，深圳尚阳通科技股份有限公司申请一项名为“沟槽栅超结器件的制造方法”的专利，公开号CN121604480A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽栅超结器件的制造方法，包括：提供加浓的第一外延层，使器件的击穿电压满足要求的同时降低比导通电阻。形成超结结构。采用热氧化工艺加CVD工艺生长场氧化层，CVD工艺降低热过程并使比导通电阻降低。对场氧化层进行图形化刻蚀。形成沟槽栅，栅氧化层采用900℃～950℃的热氧生长工艺形成，以降低热过程并降低比导通电阻。形成第一阱区并采用快速热退火对第一阱区进行激活或者取消退火激活，以降低热过程并降低比导通电阻。形成源区。形成层间膜。形成接触孔开口，源极接触孔开口和沟槽栅的侧面之间的第一间距缩小到0.5微米～0.6微米。形成阱接触注入区。在接触孔开口中填充金属以形成接触孔。本发明能降低器件的比导通电阻。
天眼查资料显示，深圳尚阳通科技股份有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5107.3257万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳尚阳通科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息176条，此外企业还拥有行政许可20个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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