北京
分享至
国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“光电二极管及其制造方法”的专利，公开号CN121604561A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种光电二极管及其制造方法，其中光电二极管包含一收光衬底及一镀膜层。镀膜层覆盖于收光衬底之上，具有至少一表面与收光衬底上表面非平行。当一外部光信号通过该镀膜层后被该收光衬底吸收并转换成一电信号。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
