全球半导体设备龙头 ASML 于 3 月 3 日正式发布新一代 EUV 光刻机 TWINSCAN NXE:3800D,该设备在光源功率、晶圆吞吐量和工艺精度上实现三重突破,可支持 3 纳米及以下先进制程芯片的规模化生产,为全球半导体产业发展注入关键动力。
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据 ASML 官方披露,新款光刻机采用升级版极紫外光源技术,光源功率提升至 600W,较上一代产品加工效率提高 30%,单台设备年产能可达 6 万片晶圆。同时,通过优化光学系统和工作台稳定性,该设备的套刻精度控制在 1 纳米以内,能够满足高性能计算芯片、先进制程手机芯片等高端产品的制造需求。
行业分析指出,当前全球芯片产业正处于先进制程竞争的关键阶段,3 纳米制程已成为头部企业的必争之地。ASML 新一代设备的推出,将有效缓解台积电、三星等厂商的先进制程产能压力,加速高端芯片的国产化替代进程。国内半导体产业链相关企业表示,已与 ASML 就新设备采购事宜展开磋商,预计年内将实现首批设备交付。
值得关注的是,该设备在能耗控制上实现重大突破,单位晶圆加工能耗降低 25%,符合全球半导体产业绿色低碳的发展趋势。
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