北京
国家知识产权局信息显示，西安智多晶微电子有限公司申请一项名为“一种用于12nm工艺的基准电压生成电路”的专利，公开号CN121578848A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明提供了一种用于12nm工艺的基准电压生成电路，涉及集成电路技术领域，包括：第一基准电路，用于基于电流镜结构，利用两个晶体管的栅源电压差通过电阻产生与电源电压无关的第一基准电压；第二基准电路，用于基于放大器的钳位产生稳定的参考电流，并利用电阻的正温度系数特性产生随温度升高而减小的第二基准电压；放大器，用于接收第一基准电压，输出与电源电压无关的第一差分电压；或者接收第二基准电压，利用电阻的正温度系数特性对第二基准电压进行补偿，输出振幅稳定的、与温度无关的第二差分电压。该基准电压生成电路中，通过两种各有侧重的基准电路协同工作，为系统不同部分提供局部最优的基准，从而在整体上实现系统性能的优化。
天眼查资料显示，西安智多晶微电子有限公司，成立于2012年，位于西安市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3835.3201万人民币。通过天眼查大数据分析，西安智多晶微电子有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息100条，此外企业还拥有行政许可15个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
