北京
国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种芯片结构和芯片背面散热方法”的专利，公开号CN121586466A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种芯片结构和芯片背面散热方法，所述芯片结构包括衬底层和位于所述衬底层上的器件层，将所述器件层划分为高功率区域和低功率区域；在所述衬底层上对应所述高功率区域的晶背形成第一刻蚀槽作为第一散热区域，在所述衬底层上对应所述低功率区域的晶背形成第二刻蚀槽作为第二散热区域，所述第一刻蚀槽的刻蚀深度大于所述第二刻蚀槽的刻蚀深度，所述第一刻蚀槽和所述第二刻蚀槽内填充有固体散热媒介。本发明可以实现长期稳定的散热效果，保证产品可靠性和耐用性，且工艺简单、可以保证封装过程中的良率。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目937次，专利信息247条，此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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