北京
国家知识产权局信息显示，山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种用于提升GaAs外延层均匀性的温度振荡生长方法”的专利，公开号CN121575485A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种用于提升GaAs外延层均匀性的温度振荡生长方法，将GaAs衬底置于MOCVD反应室中进行氢气气氛热清洁；设定目标生长温度、气体流量及反应室压力等工艺参数；设定围绕目标生长温度进行周期性振荡的振幅与周期；同步通入III族和V族源气体并启动温度振荡程序，使衬底温度按设定参数周期性振荡，进行外延生长；持续振荡生长至目标厚度；停止III族源，在V族源保护下降温。本发明通过温度振荡主动扰动生长界面，使生长趋于二维层状模式，提升外延层宏观厚度与组分的均匀性。周期性温度变化相当于原位退火，降低位错密度，改善晶体质量。方法对GaAs、AlGaAs及InGaAs等多种III‑V族化合物外延生长具有普适性。
天眼查资料显示，山东华光光电子股份有限公司，成立于1999年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6264.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，山东华光光电子股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目568次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息791条，此外企业还拥有行政许可15个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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