北京
国家知识产权局信息显示，爱发科（苏州）技术研究开发有限公司申请一项名为“一种氧化钨掺杂B相二氧化钒薄膜结构及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121586390A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种氧化钨掺杂B相二氧化钒薄膜结构及其制备方法和应用，所述氧化钨掺杂B相二氧化钒薄膜结构包括依次层叠设置的硅衬底、缓冲层和氧化钨掺杂B相二氧化钒薄膜层；通过设置氧化钨掺杂B相二氧化钒薄膜层，即在传统的纯B相二氧化钒薄膜层中掺杂氧化钨，使其室温下电阻率和温度电阻系数得以提升，电阻率优选高达70kΩ以上、温度电阻系数优选高达2%/K以上，还通过采用共溅射方法结合对电源功率的调控，实现了电阻率大范围可调，在红外探测传感器领域更具应用前景。
天眼查资料显示，爱发科（苏州）技术研究开发有限公司，成立于2009年，位于苏州市，是一家以从事水利管理业为主的企业。企业注册资本700万美元。通过天眼查大数据分析，爱发科（苏州）技术研究开发有限公司专利信息7条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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