北京
国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管外延结构及发光装置”的专利，公开号CN121586345A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管外延结构及发光装置，其包括第一半导体层、超晶格层、有源层以及第二半导体层；有源层具有至少两组依次堆叠的周期结构，且每组周期结构的厚度范围为250～350埃；还包括位于超晶格层和有源层之间的N型重掺杂层，N型重掺杂层中含有N型掺杂物，并且外延结构中形成有V型坑；通过增加有源层中周期结构的厚度，结合N型重掺杂层的协同设计，能有效提高发光二极管的亮度和实现波长半宽变窄，以提高发光二极管的固化能力。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目60次，专利信息637条，此外企业还拥有行政许可403个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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