北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN121586286A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的制备方法，属于半导体技术领域。且所述半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上设置有缓冲氧化层，所述缓冲氧化层上设置有栅极结构和侧墙，所述侧墙包括内层氮化层、中间氧化层和外层氮化层，相邻所述栅极结构之间的所述衬底中设置有硅锗外延层；去除所述外层氮化层；使用干法刻蚀气体与所述缓冲氧化层和所述中间氧化层反应，原位生成固态副产物层；以及使用升华或灰化去除所述固态副产物层。通过本发明公开的半导体结构的制备方法，可提高形成的半导体器件的性能。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目637次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1662条，此外企业还拥有行政许可22个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
