一、产业背景:第二代半导体景气上行
市场规模(Yole Intelligence数据):
· 砷化镓(GaAs):2022年市场总价值183亿美元,预计2028年翻一番,6英寸晶圆平台成为主流
· 磷化铟(InP):2022年市场规模30亿美元,预计2028年增长至64亿美元,年复合增长率13.5%,数据中心芯片增长最为迅猛
核心驱动力:
· 砷化镓:射频功率放大器(PA)、VCSEL激光器、高端LED,5G/6G通信、低轨卫星、光通信需求爆发
· 磷化铟:800G/1.6T光模块、激光雷达、量子计算、6G通信,AI算力驱动需求激增
二、砷化镓(GaAs)产业链及核心公司 1. 上游:衬底材料
公司
核心产品
地位与进展
三安光电
GaAs/GaN/SiC衬底及外延
国内化合物半导体产业链布局最完备,覆盖衬底、外延、芯片,6英寸GaAs产能领先
海特高新
6英寸GaAs/GaN晶圆代工
子公司海威华芯国内首条6英寸砷化镓/氮化镓集成电路生产线,打破国际垄断,国家支持重点产业化项目
立昂微
6英寸GaAs射频芯片
2024年实现战略转型,突破双异质结技术,全球首家量产车规级激光雷达VCSEL芯片,应用于智能驾驶与机器人
2. 中游:外延片与器件制造
公司
核心产品
技术突破
三安光电
GaAs外延片、VCSEL
圆级光学组件(WLO)和绕射光学组件(DOE)供应商,具备GaAs VCSEL制造能力
乾照光电
红黄光GaAs芯片
中国内地红黄光芯片最大供应商之一,积极布局GaAs基化合物半导体
3. 下游:射频与光通信应用
公司
应用领域
市场地位
卓胜微
射频功率放大器(PA)
射频PA主要采用GaAs材料及工艺,5G手机射频前端核心供应商
立昂微
低轨卫星、5G基站
GaN射频器件满足5G基站Massive MIMO及低轨卫星终端需求,宇航级射频芯片规模化交付
三、磷化铟(InP)产业链及核心公司 1. 上游:铟资源与原材料
公司
核心资源
优势
锡业股份
铟资源
全球铟资源绝对龙头,保有储量4821吨,原生铟国内市占近30%,直接受益于铟价上涨
株冶集团
铟冶炼
铟年产能约60吨,承接铟价上涨红利
兴发集团
高纯黄磷
具备领先的高纯黄磷制备技术,为磷化铟提供高纯度磷源
2. 中游:衬底制造(技术壁垒最高)
公司
核心产品
技术突破与客户
云南锗业
磷化铟衬底
国内唯一规模化量产企业,2-4英寸年产能15万片,6英寸良率突破70%,已通过华为、中际旭创认证,华为锁定其53%产能
有研新材
磷化铟衬底
4英寸量产能力,纯度达99.9999%,6英寸产品良率55%,已小批量供货
北京通美
磷化铟衬底
国内领先企业,具备6英寸量产能力,全球市场份额逐步提升
市场格局:全球衬底市场高度集中,日本住友电工、美国AXT、法国II-VI占据91%份额,国产替代空间巨大。
3. 中游:外延片与光芯片
公司
核心产品
技术进展
三安光电
InP外延片
磷化铟全产业链布局,外延片良率提升至65%,通过华为认证
源杰科技
InP激光器芯片
国内唯一100G EML量产企业,产品获英伟达认证,订单已排到2026年一季度
跃岭股份
参股中科光芯
持股10.05%,中科光芯是国内唯一能独立设计并量产光通信核心有源光芯片的IDM企业,全球仅5家具备同类能力
海特高新
参股华芯科技
磷化铟砷化镓等产品用于光通信器件、光模块、光芯片
4. 下游:光模块与器件
公司
核心产品
市场地位
中际旭创
800G/1.6T光模块
已锁定英伟达2026年70%以上的1.6T模块采购份额,云南锗业磷化铟衬底核心伙伴
光迅科技
光模块/光芯片
磷化铟基光模块需求确定性强,带动上游材料需求
新易盛
光模块
受益于磷化铟成本下降带来的需求放量
华工科技
硅基光电子/CPO
围绕磷化铟、砷化镓化合物材料,布局CPO、LPO等并行光技术
四、投资优先级建议 第一梯队(技术突破+订单确定性):
· 云南锗业:磷化铟衬底国内唯一量产龙头,6英寸技术突破,华为+中际旭创双客户锁定,2024年净利润同比增661%
· 海特高新:国内首条6英寸GaAs/GaN生产线,化合物半导体代工稀缺标的
· 源杰科技:国内唯一100G EML量产,英伟达认证,订单排至2026年
第二梯队(资源端+全产业链):
· 锡业股份:全球铟资源绝对龙头,磷化铟原料端核心标的
· 三安光电:化合物半导体全产业链布局(GaAs+InP+GaN+SiC),规模优势显著
· 立昂微:车规级VCSEL全球首家量产,低轨卫星+机器人双赛道
第三梯队(应用端+弹性标的):
· 中际旭创:光模块龙头,1.6T产品英伟达核心供应商,间接拉动磷化铟需求
· 跃岭股份:参股中科光芯10.05%,光芯片IDM稀缺资产
· 有研新材:6英寸磷化铟小批量供货,技术储备深厚
风险提示:需关注6英寸晶圆良率爬坡进度、海外厂商(日本住友、Coherent)扩产竞争、以及光模块技术路线(硅光 vs. InP)替代风险。
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