五大变化，存储芯片，竞争核心变了

文 | 半导体产业纵横

过去十年，谈到存储芯片，行业人士的第一反应往往是：“又一轮周期来了。”

供需失衡→价格暴涨/暴跌→厂商扩产/减产→新一轮循环。这套“周期铁律”几乎成了半导体行业的常识。

但从2024 年开始，这套运行多年的逻辑，正在悄然失效。时间走到 2026 年，曾经熟悉的周期剧本彻底改写，整个存储行业，正同时发生五大关键变化。在此转变之下，存储芯片产业正经历一场从“规模驱动的周期博弈”向“技术驱动的价值竞争”的根本性转向。

变化一：存储芯片，周期失灵

如上图所示，根据以往的模式，存储器市场增长率呈现四年周期性波动，在2017年中期达到峰值，2019年中期触底，2021年下半年再次达到峰值，2023年中期触底。按照这种模式，人们可能会预期峰值出现在2025年，谷底出现在2027年。

然而，令人费解的是，如果仅从增长率来看，峰值实际上已在2024年到来，而2025年上半年则出现了先下降后上升的趋势，打破了之前的周期性规律。从上图可以看出，两点显而易见：目前的出货量远高于前两个峰值，而且峰值尚未最终确定。

与前两轮周期不同，本轮上行不再依赖个人消费端需求，而是以企业级AI资本开支为核心。韩华投资证券分析师Park Jun-young在 2 月 24 日发布的一份报告中预测，2026年全球存储市场规模将比上年增长159%，达到5749亿美元，是2018年1599亿美元的3.6倍。 具体而言，他预测DRAM市场将同比增长 192%，达到4399亿美元，NAND市场将增长 88%，达到1350亿美元。

总的来说，2024年至今，AI算力基建与HBM技术革命成为新引擎，直接改写了传统周期逻辑。

变化二：存储器需求，正在分层

周期失灵的背后，是存储芯片需求端的结构性重塑。

在高端市场，AI产业化的加速落地直接引爆了存储需求。不同于传统服务器，AI服务器需要承载大规模数据训练、高频次数据运算，对HBM（高带宽存储）、高端DDR5内存及企业级SSD的需求量呈爆发式增长，单台AI服务器的存储需求量更是达到传统服务器的8-10倍。其中，HBM凭借超高带宽、低延迟的核心优势，成功破解了AI运算中的“内存墙”技术瓶颈，成为AI算力基建的核心战略级资源，目前2026年全球三大存储巨头的HBM产能已全部提前售罄，部分头部AI企业甚至提前签订2027年长期供货协议。

在中端市场，需求呈现稳中有升的产业化格局，核心聚焦两大场景：一是消费电子的迭代升级，智能手机、笔记本电脑等终端逐步淘汰老旧存储配置，DDR5内存、PCIe 4.0 SSD因性价比优势成为主流配置，形成持续的增量需求；二是工业控制、车载存储等工业级场景，这类场景对存储芯片的稳定性、兼容性要求较高，中端存储产品能够精准匹配其需求，成为产业增量的重要支撑。

而低端市场则呈现明显的收缩态势，核心以存量替换为主——随着高端、中端产品的普及，DDR4内存、入门级NAND闪存等低端产品的市场需求持续下滑，头部厂商纷纷主动削减低端产能，将芯片制造产能、研发资源向高端、中端高附加值领域倾斜，避免低端市场的价格内卷。这种清晰的需求分层，直接推动整个存储产业的资源重构。

变化三：存储技术，持续演进

需求分层与周期重构，倒逼存储技术进入产业化迭代的快车道。

在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。

然而，随着数据量的爆发增长，DRAM及NAND在耗电量及数据访问速度上依旧无法跟上需求的脚步。他们在需要高速运算的应用场景中也有一些阻碍。

彼时，新兴技术正从边缘切入，重构存储生态。比如MRAM（磁阻存储器）兼具SRAM速度、DRAM密度与Flash非易失性，已在车规级MCU、工业控制器中商用，三星、台积电、英特尔等均在持续推进该技术进展。ReRAM（阻变存储器）单元面积小，读写速度是NAND的1000倍，同时功耗可以降低15倍。CXL（Compute Express Link）虽非存储介质，却是内存池化的关键。通过CXL，服务器可将多个DRAM/HBM模块虚拟为统一内存池，大幅提升AI训练效率。Intel、AMD、三星正推动其成为下一代数据中心标配。不过，新兴存储并非要“取代”DRAM或NAND，而是填补其无法覆盖的“价值缝隙”。未来将是“传统+新兴”的分层共存格局。

变化四：新兴先进封测技术的兴起

CoWoS先进封装可谓HBM的黄金搭档。随着全球对于高性能计算（HPC）及人工智能（AI）芯片需求的持续增长，也推动了对于台积电CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）先进封装产能的需求暴涨，虽然台积电持续扩大产能，但依然难以满足市场需求，成为了限制HPC及AI芯片产能的另一关键瓶颈。这也使得部分客户考虑寻求台积电CoWoS以外的替代方案，其中就包括英特尔的EMIB-T先进封装技术。

EMIB-T，即“EMIB with TSV（Through-Silicon Via）”，是在英特尔原有EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术基础上的一次关键升级。传统EMIB利用嵌入在封装基板中的硅桥，实现多颗裸晶之间的高速互连。

而EMIB-T则在硅桥中引入TSV通孔结构，使得信号可垂直穿越桥接芯片本体，实现更高密度、更短路径的垂直互连。

这种架构带来三大直接优势：

带宽提升：TSV大幅缩短互连距离，显著提升数据传输速率，能够支持HBM4等超高带宽需求；延迟降低：桥接器内部的TSV路径比传统封装走线更短，有效降低数据通信延迟；功耗优化：短路径低电容，有助于降低整体系统功耗，符合高性能芯片的PPA（功耗、性能、面积）优化目标。

从设计角度看，EMIB-T不再局限于简单的2.5D互连，而是向3D封装技术Foveros靠拢，使得在更大芯片尺寸下实现高密度集成成为可能，为未来异构计算平台提供灵活封装架构。

据悉，苹果公司与高通公司在新的职位招聘要求中，都明确列出了需要英特尔的EMIB 与Foveros 等先进封装技术经验，显示多家大厂正寻求CoWoS 以外的替代方案。

FOPLP也正凭借规模化优势快速崛起，被视为CoWoS的潜在继任者。FOWLP基于圆形晶圆进行封装，由于晶圆形状为圆盘状，边缘区域难以充分利用，导致芯片放置面积较小。尺寸与利用率优势是FOPLP的核心竞争力。FOPLP采用方形大尺寸面板作为载板，而非8英寸或12英寸晶圆。

以600mm×600mm面板为例，其面积是12英寸晶圆载板的5.1倍，单片产出芯片数量大幅增加。同时，FOPLP的面积利用率超95%，显著优于传统晶圆级封装的85%，同等面积下面板可多容纳1.64倍芯片。基板面积增大持续降低成本，200mm向300mm过渡节约25%成本，300mm向板级封装过渡更可节约66%成本。

三星在先进节点中积极应用FOPLP技术，其用于可穿戴设备的Exynos W920处理器结合了5纳米EUV工艺与FOPLP方案；谷歌已在Tensor G4芯片中采用三星的FOPLP技术；AMD、英伟达等公司正与台积电及OSAT供应商合作，计划将FOPLP整合至其下一代芯片产品。中国大陆厂商也在积极布局FOPLP领域，华润微电子、成都奕斯伟、中科四合等已进入该领域，部分具备量产能力。

变化五：竞争格局从“三足鼎立”到“多元博弈”

传统存储行业长期由三星、SK 海力士、美光三家主导 DRAM，三星、铠侠、西部数据、美光、SK 海力士主导 NAND，形成稳定的 “三足鼎立 + 五强割据” 格局，定价权、技术路线、产能节奏高度集中。但 2025—2026 年，随着 AI 需求爆发、先进封装独立成链、本土厂商技术突破，行业正式进入多极竞争的全新博弈阶段。

其中头部厂商正从“价格协同” 转向 “技术卡位”：三星、SK 海力士、美光已放弃低端价格战，全面转向HBM、高端 DDR5、企业级 SSD、高堆叠 NAND等高毛利赛道。铠侠、西部数据在 3D NAND 领域持续深耕，聚焦BiCS、XL-Flash架构优化，主攻数据中心大容量存储与消费级高端市场；国产存储厂商凭借成熟工艺与差异化架构，正式进入全球主流通路。

除众所周知的两大存储龙头企业外，还有诸多国产存储企业崭露头角。兆易创新作为全品类存储龙头，聚焦NOR Flash、利基DRAM等领域，其NOR Flash全球市占率达18%，稳居全球第二、国内第一，SPI NAND国内市占率领先，同时与国内产业链深度协同，车规、工业级存储产品全面突破，成为国产存储“设计+生态”协同发展的标杆。

江波龙作为“存储器第一股”，以PTM商业模式实现差异化突围，覆盖嵌入式存储、固态硬盘等四大产品线，其eMMC和UFS产品全球排名第四，自主研发的主控芯片已批量出货，累计小容量NAND Flash出货量超1亿颗，广泛应用于IoT、汽车、安防等领域。

此外，澜起科技作为全球内存接口芯片领域的龙头企业，国内市占率约40%；佰维存储凭借自研主控+封测一体化优势，在嵌入式存储领域占据国内领先地位。依托国家产业扶持与产业链协同，这些厂商加速产能扩张与技术迭代，搭配长电科技、通富微电等配套企业，构建起完整的国产存储产业链，逐步实现从细分突围到全面崛起，成为全球存储市场的重要一极。

存储芯片，涨势还能维持多久？

日前，TrendForce集邦咨询全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度，预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的季增55-60%，改为上涨90-95%，NAND Flash合约价则从季增33-38%上调至55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。

具体到细分领域，2026年第一季PC DRAM价格将季增100%以上，涨幅达历史新高。Server DRAM价格上涨约90%，幅度创历年之最。至于Mobile DRAM市场，第一季LPDDR4X、LPDDR5X合约价皆大幅上调至季增90%左右, 幅度同样是历来最高。在NAND Flash市场部分，2026年第一季Enterprise SSD价格将季增53-58%，创下单季涨幅最高纪录。

2026年1月份，三星电子与SK海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价，今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。闪迪计划在3月期间，将其用于企业级固态硬盘（SSD）的高容量3D NAND闪存芯片价格环比上调超过100%，并要求客户支付全额现金预付款。力成、华东、南茂等存储封测厂产能利用率近乎满载，陆续调升封测价格，调幅上看三成，后续不排除启动第二波涨价。

至于存储芯片，涨势还能维持多久？不同的机构、公司均发布了相关预测，指向2026年未有消退迹象。

美光科技公司表示，内存芯片短缺在过去一个季度愈演愈烈，供应紧张状况将持续到2026年之后。

新思科技CEO Sassine Ghazi透露，顶级制造商的大部分内存用于人工智能基础设施，许多其他产品也需内存，导致其他市场面临短缺，因无剩余容量可用。 Ghazi还称，存储器芯片价格上涨及短缺将持续到2027年。虽然芯片公司正扩大生产规模，但至少需两年才能实现，这也是产能紧张持续的原因之一。

瑞银Nicolas Gaudois最新报告显示，DRAM预计供应短缺将持续到2027年第一季度，其中DDR需求增长20.7%，远超供应增长。NAND短缺情况预计延续至2026年第三季度。