北京
2月27日，据ZDNet报道，三星电子决定增大其第六代10nm级（1c）DRAM芯片的尺寸，以同时提升DRAM和HBM4的稳定性。目前，三星正集中精力提高1c DRAM的良率，并加快抢占HBM4市场份额。
这一调整背后，是三星在HBM领域持续加码的战略布局。今年2月初已有消息显示，三星计划将1c DRAM产量提升约170%，当前月产能为7万片晶圆，后续将在京畿道平泽第四工厂部署新设备，目标是实现月产10万至12万片。此外，2月25日披露的信息表明，三星1c DRAM在高温测试环境下的良率已突破80%，较2025年第四季度的60%—70%显著提升，预计5月前后可达90%；基于1c DRAM的HBM4良率也已接近60%。
三星在HBM4上选用1c DRAM，相较于竞争对手SK海力士和美光采用的第五代1b DRAM，在工艺代际上领先一代。与此同时，三星还利用自有晶圆代工能力，以4纳米工艺制造HBM4底部的逻辑芯片，旨在提升整体性能与能效表现。
华泰证券在2月26日发布的研报中指出，三星加速HBM4布局，导入1γnm制程、优化前端TSV结构，并采用4nm逻辑base die，力图重回技术领先梯队。
市场调查机构Omdia数据显示，三星电子在2025年第四季度以36.6%的市场份额重返全球DRAM市场首位，DRAM销售额达191.56亿美元，环比增长40.6%。此番通过增大芯片尺寸来改善良率和稳定性，是三星巩固竞争优势、进一步扩大HBM4供应规模的又一举措。
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本文源自：市场资讯
作者：观察君
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