北京
国家知识产权局信息显示，大连中科超硅集成技术有限公司申请一项名为“外置散热式光子无源集成阵列的激光器阵列焊接封装方法”的专利，公开号CN121580244A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及激光器阵列封装技术领域，具体涉及外置散热式光子无源集成阵列的激光器阵列焊接封装方法，包括：获取当前焊点区域每个监测点的温度数据和应力数据以及散热路径；根据当前焊点区域每个监测点的温度数据变化趋势，结合温度数据的整体分布情况得到焊点风险指数；根据散热路径上相邻的监测点的温度数据的波动分布和焊点风险指数，结合当前焊点区域和散热器表面之间的温度差得到导热效率指标；根据当前焊点区域每个监测点的温度数据和应力数据协同变化的波动情况，结合应力数据的差异情况得到耦合异常指标；最后对激光器阵列焊接封装过程中的工艺参数进行调整。本发明可以有效提高焊接封装过程中的焊点稳定性和光耦合精度。
天眼查资料显示，大连中科超硅集成技术有限公司，成立于2023年，位于大连市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本757.89万人民币。通过天眼查大数据分析，大连中科超硅集成技术有限公司专利信息10条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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