北京
国家知识产权局信息显示，广东海纳知微半导体科技有限公司申请一项名为“一种快速进入亚阈值区间工作的高性能3T电路”的专利，公开号CN121585099A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种快速进入亚阈值区间工作的高性能3T电路，涉及薄膜晶体管技术领域，包括双栅薄膜晶体管的漏极和顶栅极与单栅薄膜晶体管一的栅极相连于信号输入端，双栅薄膜晶体管的源极接地，单栅薄膜晶体管一的漏极接入偏置电压，其源极与单栅薄膜晶体管二的漏极相连，单栅薄膜晶体管的栅极作为读取端、源极作为数据端，双栅薄膜晶体管的底栅极接入调控电压；该电路通过双栅薄膜晶体管和单栅薄膜晶体管一的协同作用，能够快速进入亚阈值区间工作，实现放大状态的快速切换，且在弱光条件下显著提高了电路灵敏度，拓宽了动态响应范围，提升了X射线利用率，同时工艺简化便于大面积制备，解决了现有APS放大电路性能无法快速提升的技术问题。
天眼查资料显示，广东海纳知微半导体科技有限公司，成立于2023年，位于广州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，广东海纳知微半导体科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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