北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体测试结构及其制造方法”的专利，公开号CN121586448A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体测试结构及其制造方法。该半导体测试结构包括：基底、设置在基底上的介电层、形成于介电层沟槽中以模拟栅极结构的栅极金属、以及设置在模拟栅极结构上并与其电连接的栅极过孔。该制造方法包括：在基底上形成包含沟槽的介电层，并向沟槽中填充栅极金属以形成模拟栅极结构；在模拟栅极结构上形成与其电连接的栅极过孔。本发明通过在短流程工艺中构建一个可真实模拟栅极过孔与金属栅极接触界面的测试结构，并利用现有掩模版形成过孔，实现了对接触孔过有源区栅极(COAG)工艺中栅极过孔电阻的快速、低成本和高精度验证，解决了现有测试方法周期长或反馈无效的问题，加速了工艺研发进程。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2095次，专利信息2720条，此外企业还拥有行政许可397个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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