北京
国家知识产权局信息显示，昕原半导体（上海）有限公司取得一项名为“电阻式存储元件及存储器件”的专利，授权公告号CN223957920U，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本披露公开了一种电阻式存储元件及存储器件，所述电阻式存储元件包括下电极结构和依次层叠在所述下电极结构上方的阻变层和上电极结构，所述上电极结构和所述阻变层的背向电阻式存储元件的侧壁方向上依次设置有第一侧墙和第二侧墙；所述第一侧墙覆盖所述上电极结构和所述阻变层的侧壁；所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙的表面；所述第一侧墙和所述第二侧墙采用的材料不同。利用本申请的方案，可解决阻变存储器在制备过程中的反溅问题，并增加存储元件的稳定性。且可使得第一侧墙能够耐热耐压力，且与上电极结构、阻变层能够紧密地结合，以及实现第二侧墙与第一侧墙、后续制备接触孔工艺过程中沉积的介电材料能够紧密地结合。
天眼查资料显示，昕原半导体（上海）有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本5029.7258万人民币。通过天眼查大数据分析，昕原半导体（上海）有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息140条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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