AI存储要变天？英特尔杀回存储赛道，ZAM技术横空出世

大家好我是老札，现在AI存储圈，HBM就是绝对的霸主，没人能治得了它，就在大家以为这格局会一直僵下去时，英特尔拉上软银，重新捡起自己的老本行，掏出了ZM技术，就是要跟HBM正面硬刚、打破垄断，但这波操作，真能让英特尔翻身吗？

HBM为啥能这么横行霸道？

进入2026年，AI存储圈最炸的消息，就是英特尔推出的ZM芯片，之前有个HBF技术，专挑特定场景发力，不跟HBM正面冲突；

但ZM不一样，目标特别明确——就是要干掉HBM，甚至被不少人解读成，帮黄仁勋出一口被HBM拿捏的恶气。

HBM的原理很简单，就是把好多颗DRAM内存芯片堆在一起，用先进技术跟GPU等芯片紧紧粘在一起，AI越火HBM越风光，但它的霸道也很明显，核心就两个痛点。

第一个痛点是成本太高，HBM的成本能占到整个AI加速卡的30%到50%，相当于买一张加速卡，一半钱都花在它身上，不管大公司还是小厂商，都得被它薅羊毛。

第二个痛点是垄断严重，全球只有SK海力士、三星、美光这几家能做HBM，别人想做都做不了，这就导致市场被它们牢牢攥住，产能有限供应链还脆弱，稍微出点问题整个AI芯片行业都得慌。

现在几乎所有做AI芯片的公司，都被HBM拿捏得死死的，最惨的就是英伟达。

黄仁勋再牛，也得看HBM厂商的脸色，甚至被网友调侃成HBM厂商的“打工仔”——辛辛苦苦做芯片，赚的钱一大半都交了“保护费”。

英特尔为啥敢出手？

正因为HBM太霸道，英特尔才跟软银联手，想打破韩国企业的垄断，重新回到行业巅峰，有人疑惑，软银创始人孙正义是韩国人，为啥不帮自己国家的企业？

其实很简单，孙正义是商人，只看利益和实力，而英特尔的底蕴足够支撑这场翻身仗，很多人不知道，英特尔最早不是做CPU的，而是做存储的，还是全球第一个把DRAM商业化的厂商。

上世纪七八十年代，它在存储领域是绝对的大哥大，但后来日本靠着特殊模式崛起，压低DRAM价格，英特尔打不过，就果断放弃存储，专心做CPU，才逃过破产。

如今时隔40年，英特尔重操旧业，一是有底气，多年的技术储备足够在AI存储赛道拼一把；

二是太迫切，这些年它日子不好过，代工比不过台积电，PC芯片被AMD追着打，AI芯片被英伟达碾压，急需一个机会证明自己。

英特尔这次推出的ZM技术，不是临时凑数的，背后有大来头，它源于美国能源部的AMT计划，这个计划专门研究先进内存，还有很多国家实验室撑腰，地位堪比咱们中国的零二专项，含金量很高。

英特尔在这个计划里，贡献了一项关键技术NGDD，光看名字就知道，它就是研究怎么把DRAM堆在一起的，跟HBM的技术方向完全对口，也难怪英特尔在ZM技术上这么有底气。

ZM本质也是DRAM堆叠方案，跟HBM是同门，但核心差别很大，多层DRAM的连接方式，被英特尔彻底改了，这也让它有机会超越HBM。

HBM最大的瓶颈，就是单堆栈容量难提升。想增加容量，就得增加堆叠层数，但它的堆叠方式有硬伤：

每层DRAM靠TSV和微凸点连接，TSV要在晶圆上分散打几千个孔，层数越多，打孔越多。

而且每个孔周围都得留空地，不能放器件，层数越多，可用空间越少，容量自然上不去，所以HBM只能靠多堆几个堆栈来增加容量，再加上微凸点是锡焊，发热严重，散热越来越难，陷入了死循环。

ZM的三大杀招

ZM专门针对HBM的痛点设计，核心有三大优势：

第一招重构互联形态，ZM也用TSV，但不在整个晶圆上打孔，只打在芯片边缘，把数据线引到边缘再上下贯穿。

这就像盖大楼，HBM是在楼内装直梯，ZM是在楼边装扶梯，不占用内部空间，能省出更多地方放器件，从根上解决容量瓶颈。

不过它也有缺点，集中走线一旦出故障，可能整个堆栈都废了，目前还在研发，具体情况不好说。

第二招混合键合技术，HBM用传统微凸点，而英特尔用自己擅长的混合键合，让铜线直接连接、晶圆直接贴合，发热大幅缓解，热量能快速散出去。

值得一提的是HBM4E以后也会用上这项技术，算是行业趋势。

第三招EMIB技术，ZM需要跟GPU等芯片集成，英特尔用EMIB技术替代传统硅中介层，既提升了性能，又降低了成本，把自己的优势发挥得淋漓尽致。

前景可期但难题也不少

咱们也不能把ZM吹得太神，上面说的只是设计框架，实际落地还有很多工程难题。

HBM从实验室到商业化用了十多年，而ZM现在只有英特尔一家推进，没有行业集体发力，进度和效果都得打问号。

但如果ZM能顺利落地，优势很明显：容量能提升2到3倍，功耗降低40%到50%，还能省电费、减散热开销，成本也比HBM低。

在我看来，单是容量提升，就足以碾压HBM——容量是HBM最大的痛点，直接制约AI大模型训练，HBM跟不上，就只能拖后腿。

ZM想实现2到3倍容量提升，光靠调整TSV不够，还得用更激进的技术，传统DRAM是1T1C，电容越小，漏电越难控制。

业内推测ZM可能会取消独立电容，利用晶体管的浮体效应存电荷，变成1T0C结构，进一步提升容量，要是这项技术能用，英特尔颠覆的就不只是HBM，整个DRAM市场都得重新洗牌。

但它也有短板，电荷保持时间短，控制难度大，再加上软银初期投入只有几千万美元，短期内大概率用不上，只能先做好基础版ZM。

结语

按照规划，ZM预计2027年实现原型生产，2030年前后商业化，要是能顺利量产，绝对是AI存储圈的“核弹级”产品，能彻底重构行业格局。

而且ZM的核心技术已经过长期验证，单从技术上看完全可行，最终能不能成功，关键看三点：英特尔的执行力、软银的资金支持、市场的接受度。

但不管怎么说，HBM一家独大的日子到头了，英特尔的ZM就算不能完全取代它，也能成为强劲对手，打破垄断、平衡市场。

对整个AI行业来说，这绝对是好事——只有竞争，才有进步，技术才会更成熟、成本才会更低，最终受益的还是整个行业。