北京
国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种电极组件、其制备方法、容性耦合等离子体放电腔和等离子体装置”的专利，公开号CN121565768A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明属于等离子体装置领域，具体涉及一种电极组件、其制备方法、容性耦合等离子体放电腔和等离子体装置。本发明的电极组件包括加热盘、支撑座和电极；所述支撑座与所述加热盘垂直相连；所述支撑座呈中空管状，所述支撑座包括管状的支撑座基体和覆盖在支撑座基体内表面的第一金属导电层；所述支撑座基体的材质为陶瓷材质；所述电极包括嵌于所述加热盘的内部的第一部分和位于所述支撑座的中心轴上的第二部分。本发明可以避免支撑座周围的真空腔内产生寄生等离子体，提高工艺稳定性。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息488条，此外企业还拥有行政许可16个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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