北京
国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“鳍片与栅极之间残余非晶硅的表征方法及表征装置”的专利，公开号CN121558781A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种鳍片与栅极之间残余非晶硅的表征方法及装置。鳍片与栅极之间残余非晶硅的表征方法包括：拍摄待测样品的俯视图，并选取测试区域和参考区域；其中，测试区域包含鳍片与栅极的夹角，参考区域的残余非晶硅含量为零；对测试区域和参考区域分别进行能谱测试，并绘制测试区域的硅含量随位置变化的第一曲线图以及参考区域的硅含量随位置变化的第二曲线图；计算第一曲线图与第二曲线图的半峰宽之差，作为鳍片与栅极之间残余非晶硅的特征尺寸。本发明提供的鳍片与栅极之间残余非晶硅的表征方法及装置，表征结果的精准度和稳定性较高；此外，还具有效率高、成本低的优势，能够广泛使用。
天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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