被我们淡忘的MRI禁忌症--发烧能不能做MRI检查，应注意些什么！

目前主流的MRI设备的磁场强度都在1.5T及以上，在这样的超高磁场中，需要特别防范磁场、射频等因素造成的安全风险。因此，在实际的临床扫描中为了保证安全需要明确MRI检查的禁忌症，并须进行多次安全提醒和筛查。

MRI的强场强工作环境存在许多潜在的风险，须进行多次安全提醒和筛查。

详细的安全筛查应是多方面的，如对比剂过敏史，体内植入物，金属异物等。但在实际的临床扫描中某些MRI禁忌症不常见，往往容易被我们所忽略，如发热（发烧）的被检者。

在MRI成像中所使用的射频脉冲波长较长，它并不会导致细胞结构的破坏，所以MRI成像也是相对安全的。但在MRI成像过程中，射频脉冲的电磁波和人体相互作用会引起一定的能量在人体内积聚，导致人体的发热，这就是我们扫描中通常所说的SAR值问题。

MRI扫描时，为什么人体会发热？

任何成像都是建立在能量交换的基础之上的，MRI亦如此。MRI成像过程中所施加的射频脉冲能量只有极少部分用于了激发低能态的氢质子使其跃迁到高能态，而绝大部分的能量则被人体所吸收，转化成了热能沉积在了人体内。

在MRI检查时，由于发热，可能会遇到体胖被检者满头大汗的情景。

MRI的致热效应主要来自于射频磁场，在不断切换的交变电磁场的射频脉冲作用下，会在人体感应出微电流，同时人体作为一个阻值非常大的不良导体，在电流作用下则就会产热。

根据焦耳定律Q=I2Rt可以得出，对于一个通电导体而言，电流能够产生多少热量与电流强度的平方成正比、与导体电阻成正比、与通电时间成正比。使用的磁场强度越高，射频脉冲强度越强、脉冲作用持续时间越长所产生的热能则越多，其程度可用SAR来表示。

在MRI成像中，射频脉冲的绝大部分能量被人体组织所吸收，转化为热能沉积在了人体内，表现为组织的温度升高。这种温度的升高主要带来的两类安全问题：

• 灼伤。

扫描中应注意受检者的两侧肢体不能交叉形成类似的电流环路，同时注意要使用软垫将受检者身体和线圈导线、磁体孔壁进行隔离。同时注意饰品，如项链，手镯、文身等带来的安全问题。

• 体温的升高。

人体不同器官组织的电磁和热特性存在差异，温度升高程度与射频脉冲的持续时间、能量沉积速率、环境温度和湿度以及受检者的体温调节系统状态等因素有关。正常健康人通常可接受 1 ℃的温度升高。

考虑到不同需求及安全要求，MRI通常有三种模式可供选择，在实际的临床扫描中，应注意扫描模式的选择。

• SAR（Specific Absorption Rate）：特定吸收率，单位为瓦特/千克（W/kg）

• PNS（Peripheral Nerve Stimulation）：周围神经刺激

• 科研模式需严格遵守伦理审查要求

在实际的临床扫描中，应特别注意一些有体内植入物、婴幼儿、孕妇、体胖者、体温调节异常如发热，以及绝热患者如带有大量石膏等，建议选择安全性最高的模式进行扫描。

体内植入金属植入物的患者进行 MRI 扫描会诱发局部升温效应，可能会表现明显的热感。特别是在≥3.0T强磁场下，体内植入金属植入物后，其SAR会较未植入前明显增加（3.0 T是1.5 T的4倍）。

• 虽然目前临床上所使用的大多数金属植入物都是非常安全的，但为了避免不必要的纠纷，在检查前需要阅读相关文档和做好扫描前的沟通。

对于代谢失调、发热的患者，本身产热增加而散热减小，如果再进行MRI的检查话，患者体温会进一步升高，可能会造成体温调节紊乱，持续高烧不退，甚至出现抽搐，休克等并发症的情况发生。

对于中热及以上（＞38℃）的被检者，不建议进行MRI检查，当发热体温超过38.5℃，属于MRI禁忌症，不能进行MRI检查。

对于低热患者，如有必要进行MRI检查时应注意些什么？

• 注意扫描间的环境适宜，如温度，湿度等；

• 正确输入被检者的身高、体重等关键信息，以便系统进行SAR值严格监视和指标限制；

• 正确输入相应的解剖区域名称。做好各个扫描区域的SAR管理。特别应注意对SAR更敏感的区域，如生殖系统生殖腺，神经系统脑组织等；

• 首选场强较低的设备下进行扫描（SAR值，3.0 T是1.5 T的4倍））；

• 应尽量选择低SAR值序列（常规序列SAR值排序FSE＞SE＞GRE），优化序列间的扫描顺序，如序列可交替进行扫描；

• 在相同序列下，应该尽量延长TR时间；缩短回波链，增加回波间隙等；

• 尽量使用小翻转角扫描（SAR值，180°射频脉冲是90°射频脉冲的4倍），应严格监视一些短TR，大翻转角序列的SAR值，如稳态自由进动序列；

• 舍弃一些不必要的附加技术，如饱和带，磁化传递技术等，减少不必要的SAR值积累。

  SAR（Specific Absorption Rate）特定吸收率/比吸收率。SAR值是一个比值概念，它指的是在人体暴露于射频脉冲期间单位质量组织单位时间内所吸收的能量：SAR=E/texp*M，这里的texp就是暴露时间。