三星、海力士“调整战略”：新存储工厂生产计划提前

面对人工智能驱动的内存芯片需求激增，韩国两大存储巨头三星电子与SK海力士正加速推进新建晶圆厂的投产进程，战略重心由此前的谨慎控货转向积极扩产，以抢占行业“超级周期”红利。

据韩国《朝鲜日报》报道，SK海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间提前至明年2-3月，在竣工日期前着手启动。三星电子亦将平泽P4工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约三个月。两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品，如高性能DRAM与HBM（高带宽内存）。

本轮提速扩产的背景，是全球AI数据中心扩张带来的服务器芯片需求井喷。KB证券数据显示，截至今年2月，主要客户的内存芯片需求满足率仅约60%，短缺程度较去年四季度进一步加剧。三星电子内存出货量中已有约70%被AI数据中心企业吸收。

市场普遍预期供应紧张态势将持续至2027年。花旗集团预测，今年DRAM与NAND闪存的供给增速分别为17.5%和16.5%，而需求增速则高达20.1%和21.4%。

新产线提前数月投产

SK海力士正在龙仁半导体集群建设一期晶圆厂，目标是明年5月竣工。该项目外部框架工程已完成约一半，6个洁净室中的3个正在同步建设中。这座三层结构的工厂规模相当于其清州M15X晶圆厂的6倍。

据《朝鲜日报》报道援引知情人士，SK海力士准备在预定竣工时间之前启动试运行，最早可能在明年2-3月。公司计划在率先建成的洁净室快速安装设备，优先投产AI时代需求激增的高性能DRAM（如DDR5）和HBM产品。

三星电子正在平泽建设P4（第四工厂）晶圆厂，原定明年一季度竣工，现计划提前至今年四季度，生产时间表压缩约三个月。三星电子根据市场行情在内存和晶圆代工设备间灵活调配，P4预计将专注生产当前供应紧张的高性能内存。据悉，三星电子最近制定战略，在P4工厂新建用于HBM的10纳米第六代（1c）DRAM生产线，该产线月产能预计达10万至12万片晶圆。

据《朝鲜日报》援引一位半导体行业人士：

"韩国内存企业为提前生产时间正处于非常忙碌的状态。"

市场研究机构Omdia数据显示，三星电子的DRAM年产能（以晶圆计）将从2024年的747万片增至今年的817.5万片。SK海力士同期产能将从511.5万片扩大至639万片。随着新工厂提前投产，明年产量有望进一步增长。

两家公司加速扩产的核心驱动力是AI数据中心扩张导致的服务器高性能DRAM需求激增。由于生产线集中生产高附加值的HBM芯片，通用DRAM的产量相对减少，加剧了供应紧张。

KB证券指出：

"截至2月，内存芯片供应短缺强度较去年四季度加剧，主要客户的内存芯片需求满足率仅为60%。三星电子内存出货量的70%被AI数据中心企业吸收。"

花旗集团分析，今年DRAM供应增长率为17.5%，NAND闪存供应增长16.5%。相比之下，DRAM需求增长率预计达20.1%，NAND闪存需求增长率为21.4%，需求持续超过供应。

晨星和摩根大通等主要市场研究机构预测，内存供应短缺将持续至2027年。DS投资证券表示：

"如果2027年供应增长仅为1%，本轮DRAM周期将至少持续到2027年。以服务器为中心的DRAM需求与竞争力直接相关，难以轻易削减，价格上涨预计将持续至2026年三季度。"

三星电子和SK海力士在最近的业绩发布会上均表示，将增加今年的资本支出以应对内存短缺。三星电子内存事业部副总裁Kim Jae-june表示：

"随着AI相关需求预计持续，我们计划在2026年大幅扩大设备投资规模。但今年和明年设备扩张将受到限制，供应短缺现象可能加剧。"

这一表态凸显了半导体产能扩张的时滞特性。尽管企业加大投资并提前投产时间，但从建设到稳定量产仍需时间，短期内难以完全缓解供需失衡。

一位半导体行业人士解释提前试运行的战略意图：

"这是为了快速进入试运行阶段，稳定量产系统，同时向客户发出能够稳定供应的信号。"