英特尔瞄准未来开发 Z 角度存储

英特尔宣布正与软银子公司 SAIMEMORY 合作，将 Z 角度存储（ZAM：Z-Angle Memory ）商业化。ZAM 是一种先进的DRAM 类型，采用垂直堆叠内存模块的方式。虽然 ZAM 芯片预计至少在三年内不会面世，但它们最终可能取代当前由于 AI 繁荣而需求旺盛的高带宽存储（HBM）。

内存带宽目前是 AI 运转的主要瓶颈，因为需要在内存和 GPU 之间传输越来越大的数据块。像英伟达和 AMD 这样的芯片制造商在他们的 GPU 芯片上放置数百 GB 的HBM，以帮助缓解这一瓶颈。然而，激增的 HBM 需求导致了全球 NAND 供应短缺，推高了 RAM 模块和 NVMe 存储的价格，并导致供应链短缺。

ZAM 是一种可能彻底改变 DRAM 规则的新型内存技术。与 HBM 类似，ZAM 存储技术沿 Z 轴利用垂直堆叠（因此得名 Z 角度）。然而，它承诺以更低的能耗和成本实现 HBM 2-3 倍的容量和更高的带宽。

英特尔与 SAIMEMORY 的协议要求两家公司利用英特尔为下一代 DRAM 启动的键合（NGDB）计划中开发的基础技术和专业知识。

NGDB 计划是先进存储技术（AMT）项目的一部分，该项目由美国能源部（DOE）和国家核安全管理局（NNSA）主导，汇集了英特尔、SK 海力士和软银等供应商与 DOE 政府实验室，共同开发新的存储技术，包括 ZAM、HBM、计算快速链路（CXL）和非易失性存储（MRAM，如磁阻随机存取存储器）。

NGDB 计划目前处于第三年，合作方包括英特尔和"三实验室"——即美国桑迪亚国家实验室、劳伦斯利弗莫尔国家实验室和洛斯阿拉莫斯国家实验室。前两年专注于研发，第三年将重点转向产品化。

今年 1 月，桑迪亚实验室分享了三实验室在 NGBD 项目中采用"创新堆叠方法"取得的进展。具体而言，实验室展示了如何使用替代的"通孔合一"构造将八个存储晶圆垂直键合到基础晶圆上。

"英特尔的下一代 DRAM 键合计划展示了一种创新的存储架构和革命性的组装方法，显著提高了 DRAM 性能，降低了功耗，并优化了存储成本。"英特尔政府技术首席技术官 Joshua Fryman 在桑迪亚实验室的进展更新中表示，"标准存储架构无法满足 AI 的需求，因此 NGDB 定义了一种全新的方法，加速我们跨越下一个十年。"

桑迪亚实验室技术首席成员 Gwen Voskuilen 表示，英特尔的突破是"一项激动人心的技术，我们预计这将促进更高带宽存储器在当前由于容量和功耗限制而无法利用它的系统中的更广泛采用。"

"这次演示证明，NGDB 技术可以结合产生高性能存储器，并实现大规模制造。"他补充说。

据报道，软银正投资约 30 亿日元（按当前汇率约 1900 万美元）给 SAIMEMORY，用于与英特尔共同开发 ZAM。SAIMEMORY 据称预计将在 2027 年创建 ZAM 原型，并在2029 年实现商业化。如果这一时间表顺利推进，将对下一代 AI 系统产生巨大推动作用。然而，这还不够及时，无法缓解当前因 HBM 需求激增而导致的存储供应链紧张，这种紧张局面预计将持续数年。

与此同时，ZAM 计划进一步强化了美国和日本之间的战略技术伙伴关系。上周，DOE 副科学部长 Dario Gil 前往日本大阪参加 SCA/HPCAsia 2026 会议，巩固了阿贡国家实验室、英伟达、理研和富士通之间扩大的合作伙伴关系。Gil 负责美国创世纪计划（Genesis Mission），这是通过 AI 加速科学发现和工程进步的项目。

开发像 ZAM 这样的新型存储技术以替代或增强现有的 HBM，与 Genesis Mission 的目标高度一致。