在政治动荡的岁月中,历史常被改写、抹杀或遗忘。波兰化学家扬·乔赫拉尔斯基的遭遇便是如此——这位对半导体制造做出卓越贡献的科学家,其成就与名誉一度被彻底剔除出官方记录。
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乔赫拉尔斯基发明了一种生长半导体、金属及合成宝石单晶的方法。这一过程如今被称为“乔赫拉尔斯基法”,它赋予了科学家精准控制半导体质量的能力,成为现代电子工业的基石。
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“乔赫拉尔斯基法”获得了电气电子工程师学会里程碑奖的表彰,以肯定其对半导体器件和现代电子工业发展的奠基作用。该项目由IEEE历史中心管理,旨在表彰全球范围内杰出的技术成就。
“发现这块IEEE里程碑纪念牌彻底改变了我的使命,”现居得克萨斯州的施密特表示,“它激励我从更个人的层面去审视波兰、家族历史以及祖父的故事。这一奖项是极其重要的正名与认可,也是我向西方世界推介祖父遗产的核心支撑。”
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乔赫拉尔斯基从夏洛滕堡皇家理工学院(现柏林工业大学)获得金属化学学士学位,随后加入柏林通用电气公司担任工程师。在那个电力工业初创的时代,他致力于寻找能改进电缆和机械的新材料配方。
在一次研究金属结晶速率时,乔赫拉尔斯基误将钢笔伸进了熔化的锡锅而非墨水瓶。当笔尖提起时,一根锡丝随之形成。这一偶然现象引起了他的好奇。经过研究,他证明这根长丝竟是单晶体。这一发现促使他开始实验大规模生产半导体晶体。
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他将这一方法发表在德国化学期刊《物理化学杂志》上。当时人们并未发现该技术的应用价值。贝尔实验室的工程师戈登·基德·蒂尔和J.B.里特尔在生产半导体时,改进了这一方法用于生长单锗晶体,该技术才真正大放异彩。
乔赫拉尔斯基在金属学领域持续深耕。随后,他研发出一种被称为“B金属”的合金。作为制造火车轴承的廉价替代品,这种合金被德国铁路公司申请了专利,并在德国、波兰、苏联、英国和美国等国的轨道交通发展中发挥了重要作用。
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由于科研成就斐然,波兰总统伊格纳齐·莫希奇茨基特邀他回国担任华沙理工大学冶金学教授。乔赫拉尔斯基婉拒了亨利·福特执掌底特律铝厂的邀请,选择回归故土。
二战期间,纳粹占领了他在大学的实验室。施密特透露:“祖父当时面临‘合作或死亡’的抉择。但在深夜,他和团队一直秘密配合波兰抵抗组织和波兰军队对抗纳粹。”
战争结束后,他因涉嫌通敌被捕。尽管后来他洗清了罪名,但名誉受损已无可挽回。他被迫离开华沙回到家乡克奇尼亚,经营一家小型制药企业直至去世。
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施密特3岁时随母亲作为难民移居底特律,13岁时入籍美国并改随继父姓。尽管母亲一生都在讲述祖父的故事,但青少年时期的施密特对此并不在意,觉得那些故事听起来难以置信。
“那是我第一次必须正视扬·乔赫拉尔斯基的故事、我的出身以及我原本的名字,”施密特说,那次经历既是情感的宣泄,也带有一种创伤感。直到十年后,他才决定重新申请波兰国籍,并回到华沙理工大学亲眼看那块属于祖父的纪念牌。
施密特致力于在英语世界传播祖父的故事。他计划推动托马谢夫斯基的波兰语传记英译本出版,并正与制片人筹拍一部类似《奥本海默》的传记片。
“祖父在默默无闻中死去,从未见过自己工作的成果。我的母亲用尽成年后的余生试图纠正这些不公,”施密特感慨道,“我正竭尽全力,加速实现她的目标。”
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