北京
国家知识产权局信息显示，北京智创芯源科技有限公司申请一项名为“硅基碲镉汞材料、红外焦平面探测器及其制备方法”的专利，公开号CN121548137A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种硅基碲镉汞材料、红外焦平面探测器及其制备方法。本发明的硅基碲镉汞材料，包括：硅衬底和生长在在所述硅衬底正面的碲化镉缓冲层和碲镉汞层；所述硅衬底背面设置有光学超表面结构，所述光学超表面结构由周期排列的微结构单元组成；所述微结构单元的最大横截面的尺寸为100nm~150nm，相邻微结构单元最大横截面的中心之间的间距为800nm~1000nm，所述微结构单元在垂直于硅衬底表面方向上的尺寸为400nm~600nm。实验结果表明，当入射光垂直入射时，所述材料在3μm~5μm中波红外波段的红外透过率≥90%；且入射光入射角为0°~30°时，所述材料在3μm~5μm中波红外波段的红外透过率仍≥90%。
天眼查资料显示，北京智创芯源科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10945.6522万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智创芯源科技有限公司参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息124条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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