北京
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“半导体器件、引线框架、系统及其相关的制造方法”的专利，公开号CN121548320A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，一种半导体器件包括第一管芯焊盘，所述第一管芯焊盘包括第一安装表面和相对于所述第一安装表面升高的第一升高部分。第一半导体芯片安装在所述第一安装表面上。所述半导体器件还包括第二管芯焊盘，所述第二管芯焊盘包括第二安装表面。第二半导体芯片安装在所述第二安装表面上并且包括被布置在所述第二半导体芯片的背离所述第二安装表面的顶表面上的电触点。所述半导体器件还包括电连接所述第二半导体芯片的所述电触点和所述第一管芯焊盘的所述第一升高部分的第一电连接元件。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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