智能手机的续航焦虑,正在迎来来自两个不同技术维度的“双料”解决方案。就在刚刚过去的48小时内,从消费市场到基础科研领域,接连释放出两则重磅信号:手机电池容量正式迈入“万毫安时”时代,同时,北京大学团队在芯片底层功耗上实现了数量级的性能跨越。
![]()
开年首月,手机市场的战局便由续航能力重新定调。1月5日,荣耀发布了2026年开山之作 Power2.这款被官方称为“户外轻旗舰”的新机最引人注目的参数,是搭载了容量达到10080mAh的第四代青海湖电池。这不仅是业内首款突破万毫安时大关的量产机型,更打破了“大容量必厚重”的物理定律。通过将电池硅含量提升至15%,该机在实现926Wh/L高能量密度的同时,将机身厚度精准地控制在了7.98毫米。该机型起售价2699元,已于1月9日开售,标志着万级续航正在从概念走向大众市场。
几乎在同一时间,来自学术界的突破则为更远的未来描绘了蓝图。北京大学电子学院邱晨光研究员与彭练矛院士团队,日前在国际学术期刊《科学·进展》上在线发表了一项关键成果。他们成功研制出一种新型 “纳米栅超低功耗铁电晶体管” ,从根本上找到了为芯片“降噪”的路径。
当前的电脑和手机处理器,由于存储和计算单元分离,数据在两者间的搬运过程造成了巨大的能源浪费。虽然“存算一体”的铁电晶体管被视为解药,但其操作电压过高一直难以落地。北大团队的突破在于,他们将晶体管的核心部件“栅极”的尺寸缩小到了1纳米——仅相当于一根头发丝直径的八万分之一。这枚极细的“电场探针”仅需施加0.6伏的微小电压,即可轻松完成数据存储。这一数值甚至低于目前主流芯片的0.7伏工作电压,而开关能耗比国际最好水平降低了一个完整的数量级。
在深圳坪山的荣耀智能制造工厂里,另一场关于精密的战役也在打响。为了驾驭日益复杂的电池工艺,该工厂超过60%的设备由自主研发,自研的“鲁班”工业大模型通过每秒12.5万次的并行计算,在电池涂胶等环节实现了0.001毫克级别的精度控制。正是这种从基础材料、底层架构到制造工艺的全链条革新,让“充电一次,使用三天”不再只是营销口号。
特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.