北京
国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种厚硅端面耦合器的制备方法及端面耦合器”的专利，公开号CN121522806A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种厚硅端面耦合器的制备方法及端面耦合器，制备方法包括如下步骤：提供一个衬底，所述衬底上形成有核心器件，所述衬底上设置有用于形成端面耦合器的预留区；在所述衬底表面形成上包层，刻蚀所述预留区上方材料直至所述衬底表面；在以上所得衬底表面形成厚硅层，刻蚀所述预留区上方材料形成端面耦合器。一种通过上述的一种厚硅端面耦合器的制备方法得到的端面耦合器。本发明通过预先在合适的器件层中加工核心器件以确保更高的加工精度，然后通过在后续形成的厚硅层中制备端面耦合器结构得到更好的耦合效率，实现了核心器件的高精度与耦合器的高效率的统一。
天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目494次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息823条，此外企业还拥有行政许可47个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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