北京
国家知识产权局信息显示，深圳市矩阵多元科技有限公司申请一项名为“等离子体刻蚀腔室、清洁方法及半导体工艺设备”的专利，公开号CN121528838A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种等离子体刻蚀腔室、清洁方法及半导体工艺设备。等离子体刻蚀腔室包括腔室本体、基片台、金属板和压边件。压边件包括第一端部，第一端部抵接金属板背离基片台的一侧，第一端部沿金属板背离基片台的一侧延伸的表面被配置为第一区域。其中，金属板具有内部溅射区域和环绕内部溅射区域的绝缘溅射区域，内部溅射区域用于在等离子体激励下向腔室本体的内壁提供清洁粒子，第一区域位于绝缘溅射区域，绝缘溅射区域被配置为在清洁粒子沉积过程中抑制压边件的第一区域形成导电膜。本申请能够在不打开真空腔的前提下完成清洁，并同时消除压边件边缘因金属沉积而形成导电膜、进而诱发异常放电的风险。
天眼查资料显示，深圳市矩阵多元科技有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1548.4786万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市矩阵多元科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目114次，专利信息227条，此外企业还拥有行政许可15个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
