北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“射频横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN121531755A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种射频横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。该晶体管包括：半导体衬底、设置在衬底上的栅极结构、源极区和漏极区；多晶硅插塞，设置在漏极区上方并与其电连接；金属硅化物层，设置在多晶硅插塞的顶部；以及导电接触件，与金属硅化物层电连接。其制造方法包括：在已形成有源区的衬底上形成覆盖漏极区的介电层并蚀刻出开口；沉积导电多晶硅层并将其图案化为多晶硅插塞；在多晶硅插塞顶部形成金属硅化物层。本发明通过采用多晶硅插塞结构引出漏极，避免了在漏极区直接形成厚的金属硅化物，消除了结穿刺风险，同时无需高浓度漏极注入，减小了结面积，从而显著降低输出电容，提升器件的射频性能和可靠性。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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